一、硅基 IC 晶圆（NexPlanar / Medea，热固型 PU，200/300mm，成熟节点→先进节点）
介电层 CMP（ILD/STI 浅沟槽隔离）：二氧化硅、低 k / 超低 k 介质平坦化；Element 系列通用，Ultra 系列适配先进制程，控制碟形凹陷、腐蚀缺陷
铜互连 CMP（Cu CMP）：铜 bulk、铜阻挡层（Ta/TaN）抛光，7nm 及以下先进节点重点用 Ultra 系列
钨插塞 CMP（W CMP）：接触层钨塞平坦，成熟逻辑、存储芯片高频应用
多晶硅、栅极 CMP：栅极工艺平坦化
Medea 主打可定制沟槽图案，适合对液流、片内均匀性有特殊要求的 200/300mm 产线
二、第三代功率半导体（Epic Power，热塑性 PU，主打 SiC）
碳化硅 SiC 晶圆 CMP：单晶 SiC 衬底粗抛、精抛；支持单片式 & 批量抛光，耐高温、寿命长、去除速率稳定，适配 SiC 强腐蚀性抛光液，是英特格差异化主力品类
拓展：也用于 GaN 氮化镓衬底抛光
三、其他配套场景
存储芯片（DRAM、NAND Flash）：堆叠结构多层介质 / 金属 CMP，对均匀性、缺陷管控要求高
MEMS、传感器晶圆：200mm 特色工艺平坦化
化合物半导体：部分砷化镓、磷化铟衬底抛光（以 Epic 基础系列为主）
系列快速区分
NexPlanar Element：通用主力，成熟逻辑、存储、STI、W、Cu 基础 CMP
NexPlanar Ultra：先进节点（14nm 及以下），低缺陷、高均匀性，Cu / 阻挡层优先
Medea：定制沟槽版本，200/300mm 特色工艺
Epic Power：SiC 功率晶圆专用硬垫，第三代半导体赛道。
